扬州乾照光电有限公司班国训获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844172U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520289122.0，技术领域涉及：H10H20/819；该实用新型一种LED芯片是由班国训;曹金如;武晨明;李皇;李晓静;钟秉宪;赖易堂设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种LED芯片，包括：衬底、第一反射层、第一电极、外延结构层、第二反射层和第二电极，第一反射层中设置有第一类型欧姆接触；外延结构层具有倾斜侧壁；第二电极具有第一镂空区域，第一镂空区域可以用于实现LED芯片的光线仅从该第一镂空区域进行出射，实现LED芯片的小角度出光；第一类型欧姆接触在第二电极所在表面上的正投影位于第一镂空区域中，以使得电子空穴复合区域位于第一镂空区域。通过控制第一类型欧姆接触的位置，将其设置在第一镂空区域中，从而控制电子空穴复合区域的位置，实现电子空穴复合区域和出光的第一镂空区域重叠，从而提高从第一镂空区域出光的有效发射光功率，进而实现LED芯片的高功率。
本实用新型一种LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 衬底、位于衬底一侧的第一反射层以及位于衬底另一侧的第一电极，所述第一反射层中设置有第一类型欧姆接触，所述第一类型欧姆接触和所述衬底电连接； 所述第一反射层远离所述衬底的一侧表面设置有外延结构层，所述外延结构层包括依次层叠设置的第一类型层、有源层和第二类型层；所述第一类型层和所述第一类型欧姆接触直接接触，所述外延结构层具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁和所述外延结构层靠近所述衬底的一侧表面之间的夹角为锐角； 至少覆盖所述倾斜侧壁的第二反射层； 位于所述外延结构层远离所述衬底一侧表面的第二电极；所述第二电极具有第一镂空区域，所述第一类型欧姆接触在所述第二电极所在表面上的正投影位于所述第一镂空区域中，以使得电子空穴复合区域位于所述第一镂空区域。
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