重庆平创半导体研究院有限责任公司王晓获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利功率模块端子和功率模块封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844298U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520187738.7，技术领域涉及：H10W72/00；该实用新型功率模块端子和功率模块封装结构是由王晓;郑博风设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率模块端子和功率模块封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供了一种功率模块端子和功率模块封装结构，涉及半导体封装技术领域。功率模块端子包括端子主体和设置在端子主体底端的应力缓冲板，端子主体的顶端被配置为部分伸出封装外壳并与外部导电件连接，应力缓冲板由端子主体的底端倾斜向下延伸，并被配置为与双面覆铜陶瓷基板连接，其中，应力缓冲板与端子主体之间形成的夹角大于90°。相较于现有技术，本实用新型采用倾斜构造的应力缓冲板，使得应力缓冲板与端子主体能够夹钝角设置，避免了应力缓冲板与端子主体之间相互垂直的设置方式。在三维方向的复合应力作用时，整体受力更加均匀，功率端子整体结构受到三维复合应力作用时应力集中程度显著降低，抗振疲劳能力得到提高。
本实用新型功率模块端子和功率模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率模块端子，其特征在于，包括端子主体110和设置在所述端子主体110底端的应力缓冲板130，所述端子主体110的顶端被配置为部分伸出封装外壳220并与外部导电件连接，所述应力缓冲板130由所述端子主体110的底端倾斜向下延伸，并被配置为与双面覆铜陶瓷基板230连接，其中，所述应力缓冲板130与所述端子主体110之间形成的夹角大于90°。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆平创半导体研究院有限责任公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道红宇大道1号(2号楼、3号楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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