台湾积体电路制造股份有限公司郑咏世获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844302U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423244509.9，技术领域涉及：H10W74/10；该实用新型半导体结构是由郑咏世;黄文社设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构，包括具有晶体管装置的装置层和耦合到晶体管装置的PN接面结构。PN接面结构包括第一掺杂区和第二掺杂区，且第一掺杂区电连接至晶体管装置的闸极堆叠。此半导体结构包括在装置层的前侧之上的前侧内连线结构，该前侧内连线结构包括电连接到PN接面结构的第二掺杂区的热路径金属特征。此半导体结构包括位于前侧内连线结构上方的接合氧化物层，该接合氧化物层嵌入电连接到热路径金属特征的热路径金属接触件。此半导体结构包括位于接合氧化物层之上的载体衬底，该载体衬底落在热路径金属接触件的顶部表面上。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 装置层，具有晶体管装置和耦合到所述晶体管装置的PN接面结构，所述晶体管装置包括源极汲极区之间的通道区以及所述通道区上方的闸极堆叠，所述PN接面结构包括第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一掺杂区电连接至所述闸极堆叠； 前侧内连线结构，位于所述装置层前侧上方，所述前侧内连线结构包括电连接至所述PN接面结构的所述第二掺杂区的热路径金属特征； 接合氧化物层，在所述前侧内连线结构上方，所述接合氧化物层嵌入电连接到所述热路径金属特征的热路径金属接触件；以及 载体衬底，在所述接合氧化物层上方，所述载体衬底在所述热路径金属接触件的顶部表面上。
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