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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859533U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520146622.9，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS是由何佳;周海;单体玮;胡臻设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底，漂移层内设有第一凹槽；埋层设于第一凹槽内，埋层内设有通孔以及第二凹槽；掩蔽层设于通孔内；P型源区连接至漂移层；P型阱区连接至漂移层以及埋层；P型阱区连接至P型源区，P型阱区内设有N型源区；绝缘介质层下部设于第二凹槽内，绝缘介质层外侧面分别连接P型阱区内侧以及N型源区内侧，绝缘介质层下侧面连接掩蔽层以及埋层；绝缘介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接N型源区、P型阱区以及P型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底，通过对掩蔽层和埋层结构设计，实现了器件低阻和高可靠的兼具。

本实用新型一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层内设有第一凹槽； 埋层，所述埋层设于所述第一凹槽内，所述埋层内设有通孔以及第二凹槽； 掩蔽层，所述掩蔽层设于所述通孔内； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述漂移层上侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面以及埋层上侧面；所述P型阱区外侧面连接至所述P型源区内侧面，所述P型阱区内设有N型源区； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下部设于所述第二凹槽内，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型阱区内侧以及N型源区内侧，所述绝缘介质层下侧面连接所述掩蔽层以及埋层；所述绝缘介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述N型源区、P型阱区以及P型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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