无锡市捷瑞微电子有限公司毛昊源获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市捷瑞微电子有限公司申请的专利一种低电容SCR结构ESD保护器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859541U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520424328.X，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种低电容SCR结构ESD保护器件是由毛昊源;毛立平;谢君;黄智雁设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低电容SCR结构ESD保护器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种低电容SCR结构ESD保护器件，涉及安全防护领域，该低电容SCR结构ESD保护器件包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的上方依次设置，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型采用的肖特基二极管辅助触发的结构能改善采用高浓度注入的N型和P型杂质形成PNjunction辅助trigger结构常规低电容SCR器件开启响应速度不及时和电流集中导致的局部过热问题，提高了器件的可靠性，由于肖特基结更好的高温表现和电流能力，在设计时可以进一步压缩辅助trigger结构的总体尺寸，如减少条纹的数量或者减小条纹的尺寸，通过这种方式进一步减小SCR保护器件的电容值。
本实用新型一种低电容SCR结构ESD保护器件在权利要求书中公布了：1.一种低电容SCR结构ESD保护器件，其特征在于，该低电容SCR结构ESD保护器件包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的上方依次设置有第一个第二导电类型阱区、第一个第一导电类型阱区、第二个第二导电类型阱区、第二个第一导电类型阱区，第一个第二导电类型阱区中设置有第一个第二导电类型源区、第一个第一导电类型源区，第一个第二导电类型源区、第一个第一导电类型源区共同作为SCR结构器件阳极引出，第二个第二导电类型阱区设置有第二个第二导电类型源区，第二个第一导电类型阱区设置有第二个第一导电类型源区，第二个第二导电类型源区、第二个第一导电类型源区共同作为SCR器件的阴极引出，第一个第二导电类型阱区和第一个第一导电类型阱区上方通过肖特基势垒金属阳极连接。
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