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龙图腾网获悉广东芯成汉奇半导体技术有限公司申请的专利多连接方式组合的芯片堆叠封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859652U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423307699.4，技术领域涉及：H10W20/00；该实用新型多连接方式组合的芯片堆叠封装结构是由何瀚;刘昆奇;王钦;韩磊;洪瑞斌;张文涛;翁志坤设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本多连接方式组合的芯片堆叠封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种多连接方式组合的芯片堆叠封装结构，包括裸晶、导电柱、导电凸点、重布线层和封装体；所述裸晶包括第三裸晶、错位堆叠于所述第三裸晶上的第二裸晶，错位堆叠于所述第二裸晶上的第一裸晶，所述导电柱与所述第二裸晶的电极对应且支撑于所述第二裸晶的电极面和重布线层正面的焊盘之间；所述导电凸点与所述第三裸晶的电极对应且支撑于所述第三裸晶的电极面和重布线层的焊盘之间；所述第二裸晶和第一裸晶之间具有电连接所述第二裸晶电极和第一裸晶电极的键合线；所述封装体一体包裹所述裸晶、导电柱和导电凸点；所述重布线层的背面上具有与所述重布线层上的焊盘电连接的焊脚。本实用新型芯片堆叠封装结构厚度比较薄，且成本低。

本实用新型多连接方式组合的芯片堆叠封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多连接方式组合的芯片堆叠封装结构，其特征在于：包括裸晶、导电柱、导电凸点、重布线层和封装体； 所述裸晶包括间距设于所述重布线层正面上方的第三裸晶、依次错位堆叠于所述第三裸晶上的一个或多个第二裸晶，及依次错位堆叠于所述第二裸晶上的一个或多个第一裸晶，所述第二裸晶和第三裸晶的电极面朝向所述重布线层； 所述导电柱与所述第二裸晶的电极对应且支撑于所述第二裸晶的电极面和重布线层正面的焊盘之间，并电连通所述第二裸晶的电极和所述焊盘； 所述导电凸点与所述第三裸晶的电极对应且支撑于所述第三裸晶的电极面和重布线层正面的焊盘之间，并电连通所述第三裸晶的电极和所述焊盘； 所述第二裸晶和第一裸晶之间具有电连接所述第二裸晶电极和第一裸晶电极的键合线； 所述封装体位于所述重布线层的正面上并一体包裹所述裸晶、导电柱和导电凸点； 所述重布线层的背面上具有与所述重布线层上的焊盘电连接的焊脚。

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