合肥久昌半导体有限公司李飞获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥久昌半导体有限公司申请的专利一种多芯片散热框架获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859662U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520199142.9，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型一种多芯片散热框架是由李飞;叶锦祥;刘文雄设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多芯片散热框架在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体芯片领域，具体为一种多芯片散热框架，包括框架本体，所述框架本体的中心位置设置有用于封装的封装区，所述封装区的中部设置有用于安装芯片的大基岛与小基岛，其中大基岛封装设置，小基岛裸露设置，且大基岛与小基岛内填充导电胶。本实用新型通过设置的框架主体、大基岛、小基岛、第一引脚组件和第二引脚组件等结构的相互配合，将传统的单基岛设置为双基岛，小基岛裸露在封装区外部，因此热量可以直接传递到外界，提高散热效果，同时大基岛还可以利用第七引脚、第八引脚实现双引脚散热，进一步提高散热效果。
本实用新型一种多芯片散热框架在权利要求书中公布了：1.一种多芯片散热框架，其特征在于，包括框架本体1，所述框架本体1的中心位置设置有用于封装的封装区2，所述封装区2的中部设置有用于安装芯片的大基岛3与小基岛4，其中大基岛3封装设置，小基岛4裸露设置，且大基岛3与小基岛4内填充导电胶； 所述封装区2的顶部与底部分别连接有第一引脚组件5和第二引脚组件6，第一引脚组件5与第二引脚组件6对称布设； 所述大基岛3的一侧连接有第一连筋7，小基岛4的一侧连接有第二连筋8，第一连筋7与第二连筋8沿封装区2宽度方向中心线镜像布设。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥久昌半导体有限公司，其通讯地址为：230093 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2楼8F；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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