台湾积体电路制造股份有限公司沙哈吉·B·摩尔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109841680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810783518.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体装置是由沙哈吉·B·摩尔;关恕;李承翰;张世杰;杨怀德设计研发完成，并于2018-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：在这些实施例中，半导体装置包括具有n型掺杂的阱结构的基板，以及形成于基板上的外延硅锗鳍状物。外延硅锗鳍状物具有下侧部分与上侧部分。下侧部分的锗含量小于上侧部分的锗含量。通道由外延硅锗鳍状物所形成。栅极形成于外延硅锗鳍状物上。掺杂的源极漏极形成于靠近通道处。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一基板，具有一n型掺杂的阱结构； 一外延硅锗鳍状物，形成于该n型掺杂的阱结构上，且该外延硅锗鳍状物具有一下侧部分与一上侧部分，其中该下侧部分的锗含量小于该上侧部分的锗含量，且该下侧部分的锗含量自该下侧部分的底部朝该下侧部分的顶部增加，而该上侧部分具有一致的锗含量； 一衬垫层，位于该外延硅锗鳍状物上； 一通道，位于该外延硅锗鳍状物中； 一掺杂的源极漏极，形成于靠近该通道处；以及 一轻掺杂源极漏极区，由该外延硅锗鳍状物以及该衬垫层所形成，夹设于该掺杂的源极漏极与该通道之间，该轻掺杂源极漏极区延伸至该外延硅锗鳍状物之中，该轻掺杂源极漏极区包括一顶部轻掺杂源极漏极区、该顶部轻掺杂源极漏极区下方的一中间轻掺杂源极漏极区以及该中间轻掺杂源极漏极区下方的一底部轻掺杂源极漏极区，该顶部轻掺杂源极漏极区由注入工艺形成且具有一致的掺杂浓度，该中间轻掺杂源极漏极区以及该底部轻掺杂源极漏极区分别由自该掺杂的源极漏极扩散到该上侧部分以及该下侧部分的掺质形成，该中间轻掺杂源极漏极区具有自该掺杂的源极漏极与该外延硅锗鳍状物之间的一界面朝向该通道减少的一掺杂浓度，该顶部轻掺杂源极漏极区自该衬垫层延伸到该上侧部分的一上方部分中，而该中间轻掺杂源极漏极区位于该上侧部分的一下方部分中。
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