三星电子株式会社赵南奎获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110752259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910594266.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由赵南奎;金锡勋;姜明一;慎居明;李承勋;李正允;崔珉姬;崔正鍲设计研发完成，并于2019-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极漏极区域。源极漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗Ge的浓度的锗Ge。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 在所述衬底上的有源鳍，所述有源鳍沿第一方向延伸，所述有源鳍包括凹陷区域； 在所述衬底上的栅电极，所述栅电极与所述有源鳍交叉，使得所述有源鳍的所述凹陷区域与所述栅电极的至少一侧相邻，所述栅电极沿第二方向延伸，所述栅电极包括侧壁； 在所述栅电极的所述侧壁上的栅极间隔层；以及 在所述有源鳍的所述凹陷区域中的源极漏极区域， 所述源极漏极区域包括与所述有源鳍接触的基层和在所述基层上的第一层， 所述基层包括在所述第一方向上彼此相对的内端和外端， 所述基层位于所述凹陷区域的内侧壁上， 所述第一层包括浓度高于所述基层中的锗Ge的浓度的锗Ge， 所述基层的外端与所述第一层接触，并且 所述基层的外端具有在平行于所述衬底的上表面的平面上朝向所述栅电极的外部向外凸出的形状。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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