三星电子株式会社崔珉准获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111048539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910959846.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器是由崔珉准设计研发完成，并于2019-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器在说明书摘要公布了：一种成像装置可以包括：有源像素区域，有源像素包括在光电信号的生成中；和虚设像素区域，虚设像素不包括在光电信号的生成中。虚设像素的电特性可影响有源像素产生的光电信号，除非在两者之间提供降低导电性的绝缘。图像传感器包括：衬底，其包括有源像素区域和虚设像素区域；像素隔离结构，其至少部分地穿透衬底并且配置为降低有源像素区域中的有源像素与虚设像素区域中的虚设像素之间的导电性；以及虚设隔离结构，其至少部分地穿透虚设像素区域中的衬底。
本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 衬底，其包括有源像素区域和虚设像素区域； 导电接触件，其与所述虚设像素区域的一部分连接； 像素隔离结构，其配置为至少部分地穿透所述衬底，并围绕所述有源像素区域的有源像素以及所述虚设像素区域的虚设像素，其中，所述像素隔离结构配置为降低所述有源像素区域中的有源像素与所述虚设像素区域中的虚设像素之间的导电性；和 虚设隔离结构，其位于所述导电接触件与所述有源像素区域之间的所述虚设像素区域中，并且配置为至少部分地穿透所述虚设像素区域的所述衬底， 其中，所述虚设像素区域中的所述虚设隔离结构和与其相邻的像素隔离结构之间的距离小于所述有源像素区域中的相邻的像素隔离结构之间的距离，并且 所述像素隔离结构包括第一导体，所述导电接触件与所述虚设像素区域中的所述第一导体连接，所述虚设隔离结构包括第二导体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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