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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011457499.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体器件是由宋晟埈;郑贤广;金昌洙;全灿熙设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括P阱区；栅电极，所述栅电极位于所述衬底上；以及第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域在与所述栅电极相邻的相对侧形成在所述衬底中，所述第一区域包括位于所述衬底中的第一N阱区以及位于所述第一N阱区中的第二N阱区、第一杂质区和第二杂质区，所述第二区域包括位于所述衬底中的第三杂质区和位于所述第三杂质区中的第四杂质区，所述第二N阱区的掺杂浓度大于所述第一N阱区的掺杂浓度，并且所述第二杂质区的掺杂浓度大于所述第二N阱区的掺杂浓度。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 衬底； 隔离区域，所述隔离区域位于所述衬底中； 静电放电保护元件； 内部集成电路，所述内部集成电路电连接到所述静电放电保护元件；以及 第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘电连接到所述静电放电保护元件和所述内部集成电路， 其中，所述静电放电保护元件包括： P阱区，所述P阱区位于所述衬底中； 栅电极，所述栅电极具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，所述栅电极位于所述衬底上； 栅极介电层，所述栅极介电层位于所述栅电极与所述衬底之间； 第一区域，所述第一区域在所述衬底中与所述栅电极的所述第一侧表面相邻；以及 第二区域，所述第二区域在所述衬底中与所述栅电极的所述第二侧表面相邻，并且 其中，所述第一区域和所述第二区域具有N型导电性， 所述第一区域包括位于所述衬底中的第一N阱区、位于所述第一N阱区中的第二N阱区、在竖直方向上与所述第一N阱区中的所述第二N阱区交叠的第一杂质区以及位于所述第一杂质区中的第二杂质区， 所述第二区域包括位于所述衬底中的第三杂质区和位于所述第三杂质区中的第四杂质区， 所述竖直方向垂直于所述衬底的上表面，并且 所述衬底的所述上表面与所述第二N阱区的下表面之间的距离大于所述衬底的所述上表面与所述隔离区域的下表面之间的距离， 所述第一区域距所述衬底的所述上表面的深度大于所述第二区域距所述衬底的所述上表面的深度， 所述第三杂质区距所述衬底的所述上表面的深度小于所述第二N阱区距所述衬底的所述上表面的深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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