清华大学易陈谊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113991026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111161357.4，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法是由易陈谊;李明昊;周俊杰;谭理国;蒋超凡;李航;刘越设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法，通过在钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿吸光层与空穴传输层之间引入基于卤代苯乙胺分子的界面修饰层之后，由于界面缺陷被有效的钝化，缺陷态诱导的非辐射复合被削弱，辐射复合增强，因此钙钛矿太阳能电池器件的开路电压和光电转换效率显著提升，同时器件稳定性也有显著的提升。
本发明授权基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法在权利要求书中公布了：1.一种基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法，其特征在于，在钙钛矿吸光层和空穴传输层之间引入基于卤代苯烷基胺分子的界面修饰层，即在钙钛矿吸光层表面制备卤代苯烷基胺分子薄膜，在卤代苯烷基胺分子薄膜表面制备空穴传输层; 所述卤代苯烷基胺分子的结构式为： 其中：取代基团R1、R2、R3、R4、R5为烷基、氰基、三氟甲基、碘、溴、氯中的任一种且至少有一个是卤素原子，取代位置任意组合； 烷基胺CnH2n-NH3+为甲胺、乙胺、丙胺、丁胺中的任一种; 阴离子X-包括硫酸根离子、四氟硼酸根离子、硫氰酸根离子、甲酸根离子、乙酸根离子、三氟甲磺酸根离子或三氟乙酸根离子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清华大学，其通讯地址为：100084 北京市海淀区清华园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励