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铠侠股份有限公司柴田润一获国家专利权

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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114078826B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110590859.2,技术领域涉及:H10B80/00;该发明授权半导体存储装置是由柴田润一设计研发完成,并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体存储装置在说明书摘要公布了:实施方式提供高速动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第1芯片,具备半导体基板、多个晶体管、第1布线及多个第1贴合电极;以及第2芯片,具备存储单元阵列及多个第2贴合电极。第1芯片或第2芯片具备多个接合焊盘电极。多个第2贴合电极包括:多个第3贴合电极,从第1方向观察时与存储单元阵列重叠,设在存储单元阵列与多个晶体管之间的电流路径中;以及多个第4贴合电极,不设在这样的电流路径中。第1布线不经由任何的晶体管而与多个接合焊盘电极的任一个接合焊盘电极电连接,并且不经由任何的晶体管而与多个第4贴合电极中的至少一个电连接。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体存储装置,其中, 具备: 第1芯片,具备半导体基板、多个晶体管、第1布线及多个第1贴合电极;以及 第2芯片,具备存储单元阵列及被贴合于上述多个第1贴合电极的多个第2贴合电极, 上述第1芯片及上述第2芯片中的一个芯片具备能够与接合线连接的多个接合焊盘电极, 上述多个第2贴合电极包括: 多个第3贴合电极,设置在从与上述半导体基板的表面交叉的第1方向观察时与上述存储单元阵列重叠的位置,并且设置在上述存储单元阵列与上述多个晶体管之间的电流路径中;以及 多个第4贴合电极,设置在从上述第1方向观察时与上述存储单元阵列重叠的位置,并且没有设置在上述存储单元阵列与上述多个晶体管之间的电流路径中, 上述第1布线与上述多个接合焊盘电极的任一个接合焊盘电极电连接,并且与上述多个第4贴合电极中的至少一个第4贴合电极电连接,上述第1布线不与上述多个晶体管的任一个晶体管电连接,上述第1布线在与上述半导体基板的表面平行的方向上位于多个晶体管中的一对晶体管之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人铠侠股份有限公司,其通讯地址为:日本东京;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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