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龙图腾网获悉深圳市汇顶科技股份有限公司申请的专利图像传感器及其制作方法、成像装置和终端设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080035420.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制作方法、成像装置和终端设备是由姚国峰;沈健设计研发完成，并于2020-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其制作方法、成像装置和终端设备在说明书摘要公布了：一种图像传感器20，其包括具有多个基本单元的像素阵列，基本单元包括第一像素111、第二像素112和第三像素113，第一像素111为短波段光像素，第二像素112为中波段光像素；所述像素阵列在垂直方向上包括彩色滤光层120、第一衬底层130、介质层140和第二衬底层150；在第一衬底层130的正面形成有向第一衬底层130延伸的且与第一像素111相对应的第一凹槽137以及与第二像素112相对应的第二凹槽138，且第一凹槽137的深度大于第二凹槽138的深度。该图像传感器可以提高彩色图像成像的精确性。

本发明授权图像传感器及其制作方法、成像装置和终端设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括具有多个基本单元的像素阵列，所述基本单元包括第一像素、第二像素和第三像素；所述像素阵列在垂直方向上包括： 彩色滤光层，包括第一滤光子区域、第二滤光子区域和第三滤光子区域，所述第一滤光子区域对应所述第一像素，用于透过第一波段的光并滤除除所述第一波段外的其他波段的光，所述第二滤光子区域对应所述第二像素，用于透过第二波段的光并滤除除所述第二波段外的其他波段的光，所述第三滤光子区域对应所述第三像素，用于透过第三波段的光并滤除除所述第三波段外的其他波段的光，其中，所述第一波段的波长小于所述第二波段的波长，所述第二波段的波长小于所述第三波段的波长； 第一衬底层，在所述第一衬底层的远离所述彩色滤光层的正面形成有向所述第一衬底层延伸的且与所述第一滤光子区域相对应的第一凹槽以及与所述第二滤光子区域相对应的第二凹槽，所述第一凹槽与所述第一滤光子区域之间形成有第一光电转换区，所述第二凹槽与所述第二滤光子区域之间形成有第二光电转换区，所述第一衬底层与所述第三滤光子区域对应的区域间形成有第三光电转换区，其中，所述第一凹槽的深度设置为使第一光电转换区的有效厚度对应于第一波段光的吸收深度，所述第二凹槽的深度设置为使第二光电转换区的有效厚度对应于第二波段光的吸收深度，且所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度； 介质层，包括本体以及与所述本体相连接的第一嵌入部以及第二嵌入部，所述本体设置在所述第一衬底层的远离所述彩色滤光层的一侧，所述第一嵌入部位于所述第一凹槽内，所述第二嵌入部位于所述第二凹槽内； 第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，所述第一浮置扩散区、所述第二浮置扩散区与所述第三浮置扩散区形成在所述第一衬底层内； 第一栅极、第二栅极与第三栅极，所述第一栅极、所述第二栅极与所述第三栅极设置在所述介质层内，且与所述第一衬底层相接，所述第一栅极位于所述第一光电转换区与所述第一浮置扩散区之间，所述第二栅极位于所述第二光电转换区与所述第二浮置扩散区之间，所述第三栅极位于所述第三光电转换区与所述第三浮置扩散区之间，所述第一栅极用于控制所述第一光电转换区内的电荷迁移至所述第一浮置扩散区，所述第二栅极用于控制所述第二光电转换区内的电荷迁移至所述第二浮置扩散区，所述第三栅极用于控制所述第三光电转换区内的电荷迁移至所述第三浮置扩散区； 第二衬底层，设置在所述介质层的一侧。

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