华虹半导体(无锡)有限公司王莹莹获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种去除晶圆背封的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111576216.9，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种去除晶圆背封的方法及装置是由王莹莹;宋健;刘跃;宋振伟;张守龙;金新;苏亚青设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除晶圆背封的方法及装置在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，用于去除在晶圆第一表面的膜层，所述膜层包括多晶硅膜层，所述去除晶圆背封的方法包括：在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，所述第一区域为所述晶圆半径尺寸的40％～50％的环形范围；在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，所述第二区域为所述晶圆半径尺寸的3％～5％的环形范围。使用本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，可以实现晶圆背封的去除，且无残留和缺陷产生。
本发明授权一种去除晶圆背封的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种去除晶圆背封的方法，用于去除在晶圆第一表面的膜层，所述膜层包括多晶硅膜层，所述去除晶圆背封的方法包括： 在所述多晶硅膜层的第一区域通过第一喷淋提供第一溶液，所述第一区域为所述晶圆半径尺寸的40%~50%的环形范围，所述第一喷淋移动速度为100~140mms； 在所述多晶硅膜层的第二区域通过第二喷淋提供第一溶液，所述第二区域为所述晶圆半径尺寸的3%~5%的环形范围，所述第二喷淋移动速度为5~30mms； 其中，所述在所述多晶硅膜层的第一区域通过第一喷淋提供第一溶液、与所述在所述多晶硅膜层的第二区域通过第二喷淋提供第一溶液的作业时长比为2:1~4:1。
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