中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司徐娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011068749.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由徐娟;任飞;肖芳元设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片的部分顶面和侧壁形成有金属栅极；SDB隔离结构，位于相邻的金属栅极所在的鳍片之间，用于隔离相邻的金属栅极所在的鳍片。本申请所述的半导体结构及其形成方法，以第一掩膜层作为掩膜刻蚀形成第一沟槽，在所述第一沟槽中形成SDB隔离结构，可以提高SDB隔离结构的位置精度，减少SDB隔离结构侧壁的残渣，从而提高SDB隔离结构的质量，提高器件可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片顶面和侧壁形成有伪栅极材料层； 在所述伪栅极材料层顶面形成覆盖部分所述伪栅极材料层的第一掩膜层，所述第一掩膜层的第一部分对应所述半导体结构的伪栅极层，所述第一掩膜层的第二部分对应所述半导体结构的SDB隔离结构； 刻蚀去除所述第一掩膜层的第二部分并继续刻蚀所述伪栅极材料层，在所述伪栅极材料层中形成第一沟槽； 以所述第一掩膜层的第一部分为掩膜刻蚀所述伪栅极材料层至暴露所述鳍片表面，同时沿所述第一沟槽刻蚀至所述第一沟槽底部与所述鳍片底部共面，所述伪栅极材料层形成伪栅极层； 在所述第一沟槽中填充介质材料形成SDB隔离结构。
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