华虹半导体(无锡)有限公司刘俊文获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利CMOS图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210125867.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS图像传感器及其形成方法是由刘俊文设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种CMOS图像传感器及其形成方法，其中方法包括：形成衬底和若干感光掺杂层，所述衬底包括若干相互分立的像素区，所述感光掺杂层分别位于各所述像素区上；在各所述感光掺杂层上形成开关器件，所述开关器件以堆叠的方式形成在感光掺杂层上，减少了像素区占据的面积，提高了像素密度，不需要平衡感光区和读取电路的尺寸，有利于获得更好的感光特性和开关性能。
本发明授权CMOS图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括若干相互分立的像素区； 分别位于各所述像素区上的感光掺杂层，所述感光掺杂层和所述像素区之间构成光电二极管； 位于各所述感光掺杂层上的开关器件，各所述开关器件包括位于部分所述感光掺杂层上的有源区、位于所述有源区和所述感光掺杂层上的栅极，所述有源区顶部具有源漏层，所述栅极内具有开口，所述开口暴露出部分所述源漏层表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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