中国科学院半导体研究所沈国震获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111125418.1，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法是由沈国震;胡楚乔;李腊;陈皓;刘伟佳设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法，该传感器包括：Ti33C22TxxMXene叉指电极阵列；RAN薄膜，覆盖在所述Ti33C22TxxMXene叉指电极阵列上；其中，Ti33C22TxxMXene叉指电极阵列与RAN薄膜之间形成范德华有机无机异质结和氢键，使二者接触紧密。该传感器可实现多像素点图像传感，且柔性透明的特点大大拓宽了器件的应用范围，在上千次弯曲循环后，器件仅在很小的范围内正常波动，拥有很好的机械性能。
本发明授权多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多像素有机柔性透明近红外图像传感器，其特征在于，包括： Ti3C2TxMXene叉指电极阵列； RAN薄膜，覆盖在所述Ti3C2TxMXene叉指电极阵列上； 其中，所述Ti3C2TxMXene叉指电极阵列与所述RAN薄膜之间形成范德华有机无机异质结和氢键，使二者接触紧密。
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