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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011392736.X，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法是由喻乐贤;何逸涛;程银华;王志轮;张乐;谭灿健;姚尧;罗海辉设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法，包括S1，P+推阱，生长厚氧化层；S2，光刻沟槽图形；S3，进行沟槽氧化层刻蚀，刻蚀后去除表面光刻胶；S4，BUSBAR图形光刻，BUSBAR氧化层光刻，保护BUSBAR氧化层；S5，使用氧化层作为硬掩膜，进行沟槽硅刻蚀；S6，表面多余氧化层去除，去除表面光刻胶；S7，薄氧化层生长；S8，沟槽内光刻胶填充；S9，表面部分光刻胶去除，保留沟槽内的光刻胶；S10，PWELL注入，形成PWELL层；S11，沟槽内光刻胶去除；S12，薄氧化层去除；本发明提供的提高IGBT沟槽尺寸精度的方法通过调整工艺步骤、使用硬掩膜、使用光刻胶进行深孔填充等方法，消除BUSBAR台阶对沟槽尺寸的影响，使沟槽尺寸有良好的均匀性。

本发明授权一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，在硅衬底上进行P+推阱，生长厚氧化层； S2，在厚氧化层上光刻沟槽图形； S3，对厚氧化层进行沟槽氧化层刻蚀，刻蚀后去除表面光刻胶； S4，在形成的沟槽氧化层结构上进行使用BUSBAR光刻版进行匀胶、曝光、显影工艺，形成BUSBAR光刻图形，保护BUSBAR氧化层； S5，使用BUSBAR氧化层作为硬掩膜，进行沟槽硅刻蚀； S6，在氧化层进行湿法刻蚀，去除在S4步骤完成的BUSBAR图形以外的氧化层；完成氧化层刻蚀后，进行去胶工艺，去除氧化层表面的光刻胶； S7，在硅衬底未刻蚀的表面及沟槽表面进行薄氧化层生长； S8，沟槽内光刻胶填充； S9，硅衬底未刻蚀的表面部分光刻胶去除，保留沟槽内的光刻胶； S10，硅衬底未刻蚀的表面进行PWELL注入，形成PWELL层； S11，沟槽内光刻胶去除； S12，薄氧化层去除，继续后续工艺； 所述厚氧化层的厚度为0.5μm~2μm，所述薄氧化层的厚度为0.02μm~0.15μm。

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