罗伯特·博世有限公司D·斯霍尔滕获国家专利权
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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利垂直场效应晶体管和用于构造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114667609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079619.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权垂直场效应晶体管和用于构造其的方法是由D·斯霍尔滕;J·巴林豪斯;D·克雷布斯设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直场效应晶体管和用于构造其的方法在说明书摘要公布了：提供了一种垂直场效应晶体管200,300,400,500,600，其具有漂移区域204；在所述漂移区域204上或在所述漂移区域上方的半导体鳍片230，以及在所述半导体鳍片230上或在所述半导体鳍片上方的连接端区域212，构造在所述半导体鳍片230的至少一个侧壁旁边的栅电极220，其中，所述半导体鳍片230在横向地布置在所述栅电极220旁边的第一区段208中具有比在接触所述漂移区域204的第二区段206中和或比在接触所述连接端区域212的第三区段210中更小的横向延伸。
本发明授权垂直场效应晶体管和用于构造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直场效应晶体管200,300,400,500,600，其具有： 漂移区域204； 在所述漂移区域204上或在所述漂移区域上方的半导体鳍片230； 在所述半导体鳍片230上或在所述半导体鳍片上方的连接端区域212，所述半导体鳍片230借助所述连接端区域与所述垂直场效应晶体管200,300,400,500,600的源电极漏电极214,216连接；和 构造在所述半导体鳍片230的至少一个侧壁旁边的栅电极220， 其中，所述半导体鳍片230在横向地布置在所述栅电极220旁边的第一区段208中具有比在接触所述漂移区域204的第二区段206中和或比在接触所述连接端区域212的第三区段210中更小的横向延伸， 其中，所述连接端区域212具有比所述半导体鳍片230在所述第三区段210中的横向延伸更大的横向延伸。
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