买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利超薄金属栅的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210170197.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权超薄金属栅的制造方法是由王鹏;顾珍;杨震;张磊;康小平;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本超薄金属栅的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超薄金属栅的制造方法，提供衬底，衬底上形成有浮栅结构，浮栅结构包括存储区域和非存储区域；形成覆盖浮栅结构的第一薄膜以及在第一薄膜上的第一复合薄膜层；在衬底形成覆盖氧化层的光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得非存储区域上的第一复合薄膜层裸露；刻蚀裸露出的第一复合薄膜层；刻蚀存储区域中的第一复合薄膜层；去除光刻胶层，之后在衬底形成覆盖有第一薄膜和剩余的第一复合薄膜层的第二复合薄膜层；刻蚀第一薄膜、剩余的第一、第二复合薄膜层。本发明在氮化钛层上形成了多层保护层，在后续高温工艺步骤保护氮化钛层，使氮化钛层连续，改善了器件的性能。

本发明授权超薄金属栅的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄金属栅的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浮栅结构，所述浮栅结构包括存储区域和非存储区域； 步骤二、形成覆盖所述浮栅结构的第一薄膜以及在所述第一薄膜上的第一复合薄膜层，所述第一复合薄膜层为自下而上堆叠的氮化钛层和第一氧化层； 步骤三、在所述衬底形成覆盖所述第一复合薄膜层的光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得所述非存储区域上的所述第一复合薄膜层裸露； 步骤四、刻蚀裸露出的所述第一复合薄膜层，使得所述存储区域中的所述浮栅结构上的所述第一复合薄膜层保留； 步骤五、刻蚀所述存储区域中的所述第一复合薄膜层，使得所述存储区域中的位于所述浮栅结构的侧壁上的所述第一复合薄膜层保留，而位于所述浮栅结构顶部以及所述浮栅结构之间底部上的所述第一复合薄膜层去除； 步骤六、去除所述光刻胶层，之后形成覆盖所述第一薄膜、剩余所述第一复合薄膜层的第二复合薄膜层，所述第二复合薄膜层为自下而上堆叠的第二氧化层和氮化硅层； 步骤七、刻蚀所述第一薄膜、剩余的所述第一复合薄膜层以及所述第二复合薄膜层，使得所述存储区域中，所述浮栅结构侧壁上的所述第一薄膜、剩余的所述第一复合薄膜层以及所述第二复合薄膜层保留，而位于所述浮栅结构之间底部上的所述第一薄膜、剩余的所述第一复合薄膜层、以及所述第二复合薄膜层去除，所述非存储区域中，位于所述浮栅结构之间底部上的所述第一薄膜和所述所述第二复合薄膜层去除。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。