中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210167253.2，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;赵飞;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于抑制环栅晶体管中寄生沟道的漏电，提升包括该环栅晶体管的半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：衬底、环栅晶体管和隔离层。环栅晶体管形成在衬底上。隔离层至少填充在衬底与环栅晶体管具有的栅堆叠结构之间，且隔离层至少位于环栅晶体管具有的沟道的下方。隔离层覆盖衬底的面积小于或等于栅堆叠结构覆盖衬底的面积。本发明提供的半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底， 环栅晶体管，所述环栅晶体管形成在所述衬底上； 隔离层，所述隔离层至少填充在所述衬底与所述环栅晶体管具有的栅堆叠结构之间，且所述隔离层至少位于所述环栅晶体管具有的沟道的下方；所述隔离层覆盖所述衬底的面积小于或等于所述栅堆叠结构覆盖所述衬底的面积；位于所述栅堆叠结构下方的隔离层的各个部分一体连续，且所述隔离层位于所述沟道的各部分的下方； 其中，所述隔离层仅设置在所述沟道的下方、且沿所述沟道的宽度方向，所述隔离层的侧壁与所述沟道的侧壁对齐； 或，在所述隔离层覆盖所述衬底的面积等于所述栅堆叠结构覆盖所述衬底的面积的情况下，沿所述沟道的宽度方向，所述隔离层的侧壁与所述栅堆叠结构的侧壁对齐。
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