京东方科技集团股份有限公司王锦谦获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示装置、显示基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210405465.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示装置、显示基板及其制备方法是由王锦谦;赵梦;王超璐;任锦宇;王玮设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置、显示基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种显示装置、显示基板及其制备方法，属于显示技术领域，所述显示基板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个像素单元；所述像素单元包括像素驱动电路；在至少部分所述像素驱动电路中，至少两个薄膜晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，能够有效减少薄膜晶体管的占用面积，提高像素单元内设置薄膜晶体管的数量，进而能够满足高PPI的显示装置的像素需求。
本发明授权显示装置、显示基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个像素单元；所述像素单元包括像素驱动电路； 在至少部分所述像素驱动电路中，至少两个薄膜晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠； 所述显示基板还包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第三半导体层、第五导电层和第六导电层；所述像素驱动电路还包括第一存储电容、第二复位晶体管和第二存储电容； 所述第三半导体层包括所述第二复位晶体管的有源层；所述第二复位晶体管的有源层的漏区通过第七连接过孔与所述第一存储电容的第二极板电连接； 所述第五导电层包括所述第二复位晶体管的栅极； 所述第六导电层包括所述第二存储电容的第一极板和初始化信号线；所述第二存储电容的第一极板通过第八链接过孔与所述第一存储电容的第二极板电连接；所述初始化信号线通过第九连接过孔与所述第二复位晶体管的有源层的漏区电连接。
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