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厦门士兰集科微电子有限公司罗莹莹获国家专利权

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龙图腾网获悉厦门士兰集科微电子有限公司申请的专利晶圆的虚拟打墨方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114814520B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210167632.1,技术领域涉及:G01R31/28;该发明授权晶圆的虚拟打墨方法是由罗莹莹;陈燕华;骆向荣;徐亚楠;王淋雨;李文博;张亮设计研发完成,并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

晶圆的虚拟打墨方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种晶圆的虚拟打墨方法,首先基于晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断晶圆是否需要进行针对晶圆测试的虚拟打墨,若是,则分析晶圆的失效来源,当无法分析出晶圆的失效来源时,对每个不良晶粒周围的至少部分晶粒均进行虚拟打墨,当分析出晶圆的失效来源时,基于晶圆的失效来源对晶圆划分子区域,并基于不良晶粒的分布方式对至少部分子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。本发明不需要人工参与,虚拟打墨的规则统一,避免人工操作的差异和误操作,提高了虚拟打墨的效率。

本发明授权晶圆的虚拟打墨方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆的虚拟打墨方法,其特征在于,包括: 对晶圆进行晶圆测试,并基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断所述晶圆是否需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨; 当判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨时,分析所述晶圆的失效来源;以及, 当无法分析出所述晶圆的失效来源时,对每个所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨,当分析出所述晶圆的失效来源时,基于所述晶圆的失效来源对所述晶圆划分子区域,并基于所述不良晶粒的分布方式对至少部分所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨; 其中,所述晶圆包括中心区域及围绕所述中心区域的边缘区域,基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判定所述晶圆是否需要进行虚拟打墨的步骤包括: 分别获取所述中心区域和所述边缘区域的晶粒良率,并判断所述中心区域的晶粒良率是否小于第一阈值及所述边缘区域的晶粒良率是否小于第二阈值; 当判定所述中心区域的晶粒良率小于所述第一阈值和或所述边缘区域的晶粒良率小于所述第二阈值时,判断所述不良晶粒是否满足预定的聚类规则;以及, 当判定所述不良晶粒满足所述聚类规则时,判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人厦门士兰集科微电子有限公司,其通讯地址为:361012 福建省厦门市海沧区兰英路89号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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