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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210413548.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器结构及其形成方法是由李志国;徐杰;钱文生;倪立华设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括接触区和单元区，接触区和单元区上具有初始浮栅层、初始控制栅层、以及初始第一介电层；在初始第一介电层上形成第一图形化层；基于第一图形化层进行图形化处理，在所述单元区上的初始浮栅层、初始控制栅层和初始第一介电层内形成沿第二方向排布的若干字线开口，以形成中间浮栅层、中间控制栅层和中间第一介电层；在若干字线开口内形成若干字线结构；在若干字线结构和中间第一介电层上形成第二图形化层；基于第二图形化层进行图形化处理，形成若干第一开口和若干第二开口。从而，提高了存储器结构的性能和可靠性，并降低了工艺难度。

本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括沿第一方向排布且邻接的接触区和单元区，所述接触区和单元区上具有初始浮栅层、位于所述初始浮栅层上的初始控制栅层、以及位于所述初始控制栅层上的初始第一介电层； 在所述初始第一介电层上形成第一图形化层； 基于所述第一图形化层进行图形化处理，在所述单元区上的初始浮栅层、初始控制栅层和初始第一介电层内形成沿第二方向排布的若干字线开口，以形成中间浮栅层、中间控制栅层和中间第一介电层，所述第二方向垂直于所述第一方向； 在若干所述字线开口内形成若干字线结构； 在若干所述字线结构和所述中间第一介电层上形成第二图形化层； 基于所述第二图形化层进行图形化处理，在单元区和接触区上的中间浮栅层、中间控制栅层、以及中间第一介电层内形成若干第一开口，并在接触区上的中间浮栅层、中间控制栅层、以及中间第一介电层内形成若干第二开口，以在单元区和接触区上形成相互独立且沿第二方向排布的若干复合结构，相邻的复合结构之间具有第一开口，所述复合结构内具有相连的字线结构和第二开口，所述复合结构包括在第二方向上位于所述字线结构和第二开口两侧的浮栅层、控制栅层和第一介电层。

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