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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210538810.7，技术领域涉及：H10N80/10；该发明授权一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件是由于虹;陈颖设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件，属于太赫兹技术领域，器件结构包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；超材料层由周期性阵列结构组成，衬底层为具有负微分电阻效应的Ⅲ‑Ⅴ族半导体，金属板制作在衬底的下表面，两个金属电极制作在衬底的上表面；通过两个金属电极在半导体衬底上施加高偏置电压，在半导体衬底内部产生强横向电场，引起半导体材料的负微分电阻效应，改变半导体衬底的材料性质，从而影响此器件的谐振频率，形成了一种主动电调控太赫兹超材料器件。

本发明授权一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件在权利要求书中公布了：1.一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件，其特征在于，该器件由超材料层的结构单元1、衬底层2、第一电极3、第一高掺杂半导体层4、第二电极5、第二高掺杂半导体层6、金属板7组成；在衬底层2的上面设有超材料层1，在衬底层2的对称两侧面分别设有第一高掺杂半导体层4、第二高掺杂半导体层6，在第一高掺杂半导体层4上设有第一电极3，在第二高掺杂半导体层6上设有第二电极5，其中超材料层1、第一电极3、第二电极5在同一平面上，在衬底层2的下面设有金属板7； 所述结构单元1在衬底层2上为周期性排列，第一电极3、第二电极5分别位于结构单元1的两旁； 所述衬底层2为具有负微分电阻效应的半导体材料； 所述金属板7制作在半导体衬底的下表面；金属板的厚度大于电磁波在其中传输的趋肤深度，以保证器件的透射率为0； 所述第一电极3、第二电极5与下面对应的第一高掺杂半导体层4、第二高掺杂半导体层6形成欧姆接触； 所述超材料层的结构单元1为方形、开口谐振环或圆环形中的一种； 所述衬底层2、第一高掺杂半导体层4、第二高掺杂半导体层6的材料为砷化镓、氮化镓、磷化铟中的一种，通过第一电极3、第二电极5在衬底层2上施加高偏置电压，此时第一电极3、第二电极5与衬底层形成耿氏二极管，在衬底层2中产生负微分电阻效应，由于电子转移机制，衬底层内载流子浓度、迁移率、有效质量的分布会发生改变，从而改变此器件的谐振特性。

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