上海传芯半导体有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利掩模基版、光掩模版及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114995051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210807167.3，技术领域涉及：G03F1/58；该发明授权掩模基版、光掩模版及其制备方法是由季明华;任新平;黄早红设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模基版、光掩模版及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种掩模基版、光掩模版及其制备方法，应用于光刻机技术领域，其中掩模基版包括透明基底和附着于所述透明基底一表面上的上转换层。通过将所述掩模基版应用于光刻机后，光刻机的主光源可以照射于上转换层，并经上转换层进行上转换后，从透明基底相对于上转换层所在表面的另一表面出射混合光，从而可将该混合光作为混合光源用于光刻机的光线曝光中，使得光刻机获得更高的分辨率和对比度。
本发明授权掩模基版、光掩模版及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模基版，其特征在于，所述掩模基版包括： 透明基底，包括相对的第一面和第二面； 遮光层，覆盖于所述透明基底的第一面； 以及，覆盖于所述透明基底的第二面上可供至少部分预设的曝光光线透过的上转换层，所述上转换层包括由宽能隙半导体层和窄带隙半导体层形成异质结的两步光子上转换薄层； 其中，预设的曝光光线照射于所述上转换层后，至少部分所述曝光光线经过上转换作用可形成波长比所述曝光光线短的激发光线；透过所述透明基底的混合光线包括所述预设的曝光光线和所述激发光线； 所述激发光线占所述混合光线总功率的比例小于或等于20％； 其中，宽能隙半导体层的厚度小于30nm； 和或，窄带隙半导体层的厚度小于30nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海传芯半导体有限公司，其通讯地址为：201218 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄1号楼5楼南侧；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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