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诺瓦尔德股份有限公司托马斯·罗泽诺获国家专利权

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龙图腾网获悉诺瓦尔德股份有限公司申请的专利包括阳极层、阴极层、至少一个发光层(EML)和至少一个空穴注入层(HIL)的有机电子器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115088090B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180011031.5,技术领域涉及:C07C15/60;该发明授权包括阳极层、阴极层、至少一个发光层(EML)和至少一个空穴注入层(HIL)的有机电子器件是由托马斯·罗泽诺;维金塔斯·扬库什;马库斯·赫默特;朴茂真;弗拉迪米尔·乌瓦罗夫;安妮特·斯托伊德尔设计研发完成,并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

包括阳极层、阴极层、至少一个发光层(EML)和至少一个空穴注入层(HIL)的有机电子器件在说明书摘要公布了:本发明涉及一种有机电子器件,所述有机电子器件包括阳极层、阴极层、至少一个发光层EML和至少一个空穴注入层HIL,其中所述空穴注入层布置在所述阳极层和所述至少一个发光层之间。

本发明授权包括阳极层、阴极层、至少一个发光层(EML)和至少一个空穴注入层(HIL)的有机电子器件在权利要求书中公布了:1.一种有机电子器件,所述有机电子器件包括阳极层、阴极层、至少一个发光层EML和至少一个空穴注入层HIL,其中所述空穴注入层布置在所述阳极层和所述至少一个发光层之间;其中 -所述空穴注入层包含有机基质化合物OMC和金属络合物,其中所述金属络合物选自以下的式IIa至式IIe: 其中 M是金属离子; n是M的化合价,其中n是1到4的整数; A1和A2独立地选自取代或未取代的C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C12杂芳基; A3选自H、D、取代或未取代的C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C12杂芳基; 其中A1、A2或A3的取代基独立地选自:D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分氟化或全氟化C1至C16烷基、部分氟化或全氟化C1至C16烷氧基、部分氘化或全氘化C1至C6烷基、部分氘化或全氘化C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN, 其中R1选自:C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分氟化或全氟化C1至C16烷基、部分氟化或全氟化C1至C16烷氧基、部分氘化或全氘化C1至C6烷基、部分氘化或全氘化C1至C6烷氧基; 并且 -所述至少一个发光层包含至少一种发光体基质化合物EMC,其中所述发光体基质化合物EMC的HOMO能级和所述有机基质化合物OMC的HOMO能级满足下式: -0.24eV[HOMO能级EMC-HOMO能级OMC]≤0.8eV。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人诺瓦尔德股份有限公司,其通讯地址为:德国德累斯顿;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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