稳懋半导体股份有限公司杜明昌获国家专利权
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龙图腾网获悉稳懋半导体股份有限公司申请的专利垂直腔面射型激光及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115133400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111467206.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面射型激光及其形成方法是由杜明昌;赖俊村;简琬庭设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面射型激光及其形成方法在说明书摘要公布了：一种垂直腔面射型激光及其形成方法，所述激光包括：主动区、内沟槽、外沟槽、第一注入区域。主动区包括第一镜、主动区域、第二镜、刻蚀停止层。第一镜形成于基板之上。主动区域形成于第一镜之上。第二镜形成于主动区域之上。具有孔隙的刻蚀停止层形成于主动区域及第二镜之间。内沟槽在上视图中围绕主动区。外沟槽形成于内沟槽旁边，以及第一注入区域形成于内沟槽之下。本申请能够通过形成额外的内沟槽于刻蚀停止层之上，可改善内沟槽深度的均匀度。
本发明授权垂直腔面射型激光及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面射型激光，其特征在于，包括： 一主动区，包括： 一第一镜，形成于一基板之上； 一主动区域，形成于所述第一镜之上； 一第二镜，形成于所述主动区域之上；以及 一刻蚀停止层，具有一孔隙，形成于所述主动区域及所述第二镜之间； 一内沟槽，围绕所述主动区，穿过所述第二镜； 一外沟槽，形成于所述内沟槽旁边，穿过所述第二镜、所述刻蚀停止层、所述主动区域、及所述第一镜；以及 一第一注入区域，形成于所述内沟槽之下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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