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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种自对准双重图形结构的芯轴移除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211005694.9，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权一种自对准双重图形结构的芯轴移除方法是由许鹏凯;张适杰;乔夫龙设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自对准双重图形结构的芯轴移除方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种自对准双重图形结构的芯轴移除方法，在第一、第二区域上形成多个芯轴结构；沉积第一膜层并刻蚀使第一、第二芯轴结构顶部的第一膜层及芯轴刻蚀停止层上的第一膜层被去除，在第一、第二芯轴结构侧壁形成第一侧墙；形成有机介电质层覆盖第一、第二芯轴结构；形成含硅抗反射层；将第一区域的含硅抗反射层暴露；去除第一区域上的含硅抗反射层和有机电介质层；去除第一芯轴结构上的第一侧墙；去除第二区域的有机电介质层；沉积第二膜层覆盖第一、第二芯轴结构；去除第一芯轴结构上的第二膜层；在第一芯轴结构的侧壁形成第二侧墙；去除第一、第二芯轴结构；形成相互间隔排布的第一侧墙以及相互间隔排布的第一、第二侧墙的组合结构。

本发明授权一种自对准双重图形结构的芯轴移除方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准双重图形结构的芯轴移除方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供叠层，所述叠层自下而上依次由刻蚀停止层、金属硬掩膜层、芯轴刻蚀停止层堆叠而成；沿所述叠层的纵向将其划分为第一、第二区域； 步骤二、分别在所述第一、第二区域的所述芯轴刻蚀停止层上形成相互间隔排布的多个芯轴结构；其中位于所述第一区域的所述芯轴刻蚀停止层上的所述芯轴结构为第一芯轴结构；位于所述第二区域的所述芯轴刻蚀停止层上的所述芯轴结构为第二芯轴结构； 步骤三、沉积第一膜层覆盖所述芯轴刻蚀停止层的上表面以及所述第一、第二芯轴结构的外表面； 步骤四、刻蚀所述第一膜层，使得所述第一、第二芯轴结构顶部的所述第一膜层以及所述芯轴刻蚀停止层上表面的所述第一膜层被去除，在所述第一、第二芯轴结构的侧壁形成第一侧墙； 步骤五、形成有机介电质层，所述有机介电质层覆盖所述芯轴刻蚀停止层以及所述第一、第二芯轴结构；在所述有机介电质层上形成含硅抗反射层；之后在所述含硅抗反射层上涂布光刻胶； 步骤六、曝光并显影，将所述第一区域的所述含硅抗反射层暴露出来； 步骤七、刻蚀去除所述第一区域上的所述含硅抗反射层和所述有机介电质层，将所述第一芯轴结构暴露； 步骤八、去除所述第一芯轴结构上的所述第一侧墙；之后对剩余的所述有机介电质层进行灰化，进而去除覆盖在所述第二区域的所述有机介电质层； 步骤九、沉积第二膜层，所述第二膜层覆盖所述芯轴刻蚀停止层以及所述第一芯轴结构、所述第二芯轴结构的上表面及其侧壁的所述第一侧墙； 步骤十、刻蚀所述第二膜层，去除所述芯轴刻蚀停止层上表面的所述第二膜层、所述第一芯轴结构上表面的所述第二膜层、所述第二芯轴结构及其第一侧墙上表面的所述第二膜层；在所述第一芯轴结构的侧壁形成第二侧墙，并形成依附于所述第二芯轴结构侧壁的所述第一侧墙的第二侧墙； 步骤十一、去除所述第一、第二芯轴结构；在所述第一区域上的所述芯轴刻蚀停止层上形成相互间隔排布的所述第一侧墙；在所述第二区域上的所述芯轴刻蚀停止层上形成相互间隔排布的第一、第二侧墙的组合结构； 步骤十二、以所述第一侧墙和所述第一、第二侧墙的组合结构为掩膜刻蚀所述芯轴刻蚀停止层以及所述金属硬掩膜层，直至刻蚀至所述刻蚀停止层上表面为止。

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