上海传芯半导体有限公司黄早红获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利移相掩膜版及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115343910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110518601.1，技术领域涉及：G03F1/32；该发明授权移相掩膜版及其制作方法是由黄早红;任新平设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本移相掩膜版及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种移相掩膜版及其制作方法，移相掩膜版包括：透光基板；遮光层，覆盖于透光基板上以形成遮光区域，遮光层被去除并停止于透光基板表面的区域形成透光区域，遮光层被去除且其下方的透光基板被部分去除的区域形成第一移相区域；移相层，覆盖于透光区域以形成第二移相区域及覆盖于第一移相区域以形成第三移相区域，移相层使透过移相层的曝光光线产生相位转换或及光衰减。本发明一方面可以避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高，另一方面，可以有效拓宽移相掩膜版的功能，使其可以满足各种不同应用场景的需求。
本发明授权移相掩膜版及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种移相掩膜版，其特征在于，所述移相掩膜版包括： 透光基板； 遮光层，覆盖于所述透光基板上以形成遮光区域，所述遮光层被去除并停止于所述透光基板表面的区域形成透光区域，所述遮光层被去除且其下方的透光基板被部分去除的区域形成第一移相区域； 移相层，覆盖于所述透光区域以形成第二移相区域及覆盖于所述第一移相区域以形成第三移相区域，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或及光衰减；其中，所述透光区域、所述第一移相区域、所述第二移相区域、所述第三移相区域具有不同的结构，以控制及调整各区域的光学特性使其对曝光光线产生不同程度的相移和衰减；所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间；所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间。
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