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龙图腾网获悉深圳市汇顶科技股份有限公司申请的专利3D芯片封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211079911.9，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权3D芯片封装结构及封装方法是由袁燕文;冷寒剑;韦亚设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D芯片封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本申请属于芯片封装技术领域，具体涉及一种3D芯片封装结构及封装方法。本申请旨在解决现有封装工艺复杂，封装总成本高的技术问题。本申请的3D芯片封装结构包括芯片本体，芯片本体包括：第一芯片，具有第一表面；第二芯片，设置于第一芯片的第一表面；第一绝缘封装层，设置于第一表面，并包裹于第二芯片的表面；以及第一电连接结构，第一电连接结构贯穿第一绝缘封装层，且第一电连接结构电性连接于第一芯片和第二芯片之间。本申请能够提升第一芯片和第二芯片的传输速度、优化封装尺寸的同时，可以简化第一芯片和第二芯片的封装工艺，降低封装工艺的复杂程度，从而降低封装总成本。

本发明授权3D芯片封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种3D芯片封装结构，其特征在于，包括芯片本体，所述芯片本体包括： 第一芯片，具有第一表面； 第二芯片，设置于所述第一芯片的第一表面； 第一绝缘封装层，设置于所述第一表面，并包裹于所述第二芯片的表面；以及 第一电连接结构，所述第一电连接结构贯穿所述第一绝缘封装层，且所述第一电连接结构电性连接于所述第一芯片和所述第二芯片之间； 所述第一芯片上设置有引脚，所述引脚包括设置于所述第一芯片上的第一引脚； 所述第一芯片与所述第一绝缘封装层之间设有有机层，所述有机层上设有导电层，所述导电层电性连接于所述第一电连接结构和所述第一引脚之间，所述导电层的一部分引出至所述有机层的背离所述第一表面的一侧表面，以使所述第一电连接结构与所述导电层垂直连接，且所述第一电连接结构和所述导电层的电连接点与所述导电层和所述第一芯片上的所述第一引脚的电连接点不重叠； 还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一绝缘封装层的背离所述第一芯片的一侧表面； 还包括第二绝缘封装层，所述第二绝缘封装层包裹于所述第一芯片的外表面以及所述第一绝缘封装层的未设置所述绝缘层的其余表面。

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