华虹半导体(无锡)有限公司田甜获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利超级结沟槽栅终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211134794.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超级结沟槽栅终端结构及其制备方法是由田甜;许昭昭设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本超级结沟槽栅终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超级结沟槽栅终端结构及其制备方法，其中制备方法包括：提供一其上形成有外延层的衬底；执行至少两次离子注入工艺以在所述外延层中形成type区；形成沟槽栅结构；在所述type区中以及所述type区外的外延层中形成体区；在所述type区外的所述体区中形成第一重掺杂区；在所述type区外的所述体区底部形成pillar区；形成第二重掺杂区；形成金属电极。本申请通过多步高能离子注入以在所述外延层中形成type区，利用type区补偿所述外延层，与所述外延层相互耗尽，从而降低外延层的掺杂浓度来提升终端的耐压，同时，利用所述type区中的浮空沟槽栅结构来进一步提升器件的整体耐压。
本发明授权超级结沟槽栅终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结沟槽栅终端结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有外延层； 执行至少两次离子注入工艺以在所述外延层中形成type区； 刻蚀所述外延层，以在所述type区中以及所述type区外的外延层中形成多个沟槽； 形成沟槽栅结构，所述沟槽栅结构填充所述沟槽，其中，所述type区与所述type区外的所述沟槽栅结构相邻； 执行离子注入工艺以在所述type区中以及所述type区外的外延层中形成体区； 执行离子注入工艺以在所述type区外的所述体区中形成第一重掺杂区； 执行离子注入工艺以在所述type区外的所述体区底部形成pillar区； 刻蚀所述type区外的所述第一重掺杂区和所述体区以及部分所述沟槽栅结构以形成开口； 执行离子注入工艺以在所述第一重掺杂区和所述体区中的开口的底壁和部分侧壁中形成第二重掺杂区； 形成金属电极，所述金属电极填充所述开口。
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