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龙图腾网获悉上海大学申请的专利基于物理机理优化的SiC MOSFET行为建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121052018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511582500.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于物理机理优化的SiC MOSFET行为建模方法是由汪飞;桂浩丁;王颢棋;张晓康;施天灵设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于物理机理优化的SiC MOSFET行为建模方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于物理机理优化的SiCMOSFET行为建模方法，包括：针对SiCMOSFET输出特性曲线，在考虑SiCMOSFET的漏致势垒降低效应基础上，构建SiCMOSFET的静态电学模型结构；基于静态电学模型结构,采用电压函数描述极间电容随偏置电压变化的非线性行为，构建SiCMOSFET的动态特性模型结构；采用结合实验数据与结构函数分析的方法，对静态电学模型结构和动态特性模型结构进行物理机理优化，得到最终所需的SiCMOSFET行为模型。本发明能够准确反映SiCMOSFET器件静态与动态特性，提升模型的精度、适用性和参数提取的便利性，满足新一代高性能功率电子系统的设计需求。

本发明授权基于物理机理优化的SiC MOSFET行为建模方法在权利要求书中公布了：1.一种基于物理机理优化的SiCMOSFET行为建模方法，其特征在于，包括： 针对SiCMOSFET输出特性曲线，在考虑SiCMOSFET的漏致势垒降低效应的基础上，构建SiCMOSFET的静态电学模型结构； 基于所述静态电学模型结构,采用电压函数描述极间电容随偏置电压变化的非线性行为，构建SiCMOSFET的动态特性模型结构； 采用结合实验数据与结构函数分析的方法，对所述静态电学模型结构和动态特性模型结构进行物理机理优化，得到最终所需的SiCMOSFET行为模型； 所述针对SiCMOSFET输出特性曲线，在考虑SiCMOSFET的漏致势垒降低效应的基础上，构建SiCMOSFET的静态电学模型结构，包括： 考虑SiCMOSFET的漏致势垒降低效应； 针对所述漏致势垒降低效应，构建如下静态电学模型结构为： 式中：为跨导；为阈值电压；为漏源极电压；为栅极电压；为漏极电流；为在不同漏源极电压下的阈值电压；为漏源极电压为零时的阈值电压；是阈值电压衰减系数； 所述基于所述静态电学模型结构,采用电压函数描述极间电容随偏置电压变化的非线性行为，构建SiCMOSFET的动态特性模型结构，包括： 所述极间电容，包括：栅源电容、栅漏电容和漏源电容； 采用电压函数描述栅漏电容随偏置电压变化的非线性行为，表示为： 当VGS=0时，VGD=-VDS，其中，VGS为栅极电压，VDS为漏源极电压； 式中，S表示曲线的陡峭程度，决定电容下降的速率；k1用于描述电容在低电压时的偏离程度；k2控制电容随栅漏极电压VGD变化的速率；为栅极下方漏极区的耗尽区电容；Coxd为栅氧化层电容，可通过测量结果提取；Vt表示电容变化的中心电压，即从Coxd向过渡的拐点位置；Cb表示基准电容值，即在高电压时趋于稳定的值； 采用电压函数描述漏源电容随偏置电压变化的非线性行为，表示为： 式中，Dr用于描述控制低压范围电容的衰减速率；A用于描述控制高压范围电容的衰减幅度；B用于描述控制高压范围电容的衰减速率；m为梯度因子；Vj为结电势；Cj0表示零偏PN结电容；Cfixed表示高压范围的电容渐进值；Vsplit表示分界点电压； 采用电压函数描述栅源电容随偏置电压变化的非线性行为，表示为： 式中，为控制电容变化斜率的参数；为反型状态下的最大电容值；为耗尽状态下的最小电容值；Vb为电容变化的中心电压。

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