台湾积体电路制造股份有限公司陈奕寰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223872668U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422880462.9，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型集成芯片是由陈奕寰;钟于彰;陈斐筠;周建志;李佳叡设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种包括延伸到衬底的前侧表面中的隔离结构的集成芯片。隔离结构侧向地包围衬底的第一装置区。隔离结构包括在第一方向上伸长且至少部分地定义出第一装置区的一对隔离边缘。一对源极漏极区设置在第一装置区内且在第一方向上彼此侧向地间隔开。第一栅电极结构设置在该对源极漏极区之间的第一装置区中。第一栅电极结构包括在第一方向上伸长的第一对相对侧壁。相对侧壁在朝向第一栅电极结构的中心的方向上与该对隔离边缘中的对应的隔离边缘侧向地偏移非零距离。该非零距离减少了晶体管的侧向占用面积、维持了装置区的面积并增加了集成芯片的装置密度。
本实用新型集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，其特征在于，包括： 隔离结构，延伸到衬底的前侧表面中，其中所述隔离结构侧向地包围所述衬底的第一装置区，其中所述隔离结构包括在第一方向上伸长且至少部分地定义出所述第一装置区的第一对隔离边缘； 一对源极漏极区，设置在所述第一装置区内且在所述第一方向上彼此侧向地间隔开；以及 第一栅电极结构，设置在所述第一装置区中且间隔在所述对源极漏极区之间，其中所述第一栅电极结构包括在所述第一方向上伸长的第一对相对侧壁，其中所述第一对相对侧壁在朝向所述第一栅电极结构的中心的方向上与所述第一对隔离边缘中的对应的隔离边缘侧向地偏移非零距离。
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