深圳市优恩半导体有限公司项继超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市优恩半导体有限公司申请的专利一种多芯片封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223872754U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520437563.0,技术领域涉及:H10W40/73;该实用新型一种多芯片封装结构是由项继超;付建峰;甘増荣设计研发完成,并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多芯片封装结构在说明书摘要公布了:本申请涉及一种多芯片封装结构,涉及半导体封装技术领域,所述多芯片封装结构包括PCB板、散热结构以及多个芯片,所述PCB板包括安装面;所述散热结构固定于所述安装面,所述散热结构包括多个呈L形状的散热片,所述散热片且呈周向间隔布置,所述散热片包括腔体,所述腔体内充填有冷却液,所述冷却液未充满所述腔体;每个所述芯片对应设于所述散热片上且与所述PCB板电性连接。本申请能够解决目前的多个芯片垂直设置导致热量堆积的问题。
本实用新型一种多芯片封装结构在权利要求书中公布了:1.一种多芯片封装结构,其特征在于,包括: PCB板11,包括安装面111; 散热结构12,固定于所述安装面111,所述散热结构12包括多个呈L形状的散热片121,所述散热片121且呈周向间隔布置,所述散热片121包括腔体,所述腔体内充填有冷却液,所述冷却液未充满所述腔体;以及 多个芯片13,每个所述芯片13对应设于所述散热片121上且与所述PCB板11电性连接。
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