富士电机株式会社胁山智之获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010905134.3，技术领域涉及：H10W70/20；该发明授权半导体模块是由胁山智之设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体模块，不对半导体元件的本来的性能造成影响地提高半导体元件的温度探测精度。半导体模块1具备：层叠基板2，其是在绝缘板20的上表面配置电路板22、在绝缘板的下表面配置散热板21而成的；半导体元件3，其配置在电路板的上表面；金属布线板4，其配置在半导体元件的上表面；以及温度传感器6，其配置在金属布线板的上表面，用于检测半导体元件的温度。金属布线板具有屏蔽半导体元件的热的切口部40。
本发明授权半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块，具备： 层叠基板，其是在绝缘板的上表面配置电路板、在所述绝缘板的下表面配置散热板而成的； 半导体元件，其配置在所述电路板的上表面； 金属布线板，其配置在所述半导体元件的上表面；以及 温度传感器，其配置在所述金属布线板的上表面，用于检测所述半导体元件的温度， 其中，所述金属布线板具有屏蔽所述半导体元件的热的热屏蔽部， 其中，所述金属布线板还具有： 第一端部，其与所述半导体元件接合；以及 第二端部，其位于与所述第一端部相反的一侧， 所述热屏蔽部的至少一部分配置于比所述温度传感器靠从所述第一端部去向所述第二端部的方向的下游侧的位置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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