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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利电阻变化型非易失性存储元件及使用了其的电阻变化型非易失性存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980085823.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电阻变化型非易失性存储元件及使用了其的电阻变化型非易失性存储装置是由安原隆太郎;藤井觉;三河巧;姫野敦史;西尾宪吾;宫崎刚英;秋永广幸;内藤泰久;岛久设计研发完成，并于2019-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本电阻变化型非易失性存储元件及使用了其的电阻变化型非易失性存储装置在说明书摘要公布了：本申请涉及电阻变化型非易失性存储元件及使用了该存储元件的电阻变化型非易失性存储装置。电阻变化型非易失性存储元件20具备第一电极2、第二电极4和电阻变化层3，该电阻变化层3夹在第一电极2与第二电极4之间，并且基于施加于两电极之间的电信号而使电阻值可逆地变化。电阻变化层3具有第一电阻变化层3c和第二电阻变化层3d，该第一电阻变化层3c是由缺氧型的第一金属氧化物构成的，该第一金属氧化物由第一金属元素和氧形成，该第二电阻变化层3d由第一金属元素、与第一金属元素不同的第二金属元素和氧形成，并且由缺氧度与第一金属氧化物不同的复合氧化物构成。复合氧化物的缺氧度比第一金属氧化物的缺氧度小，复合氧化物在室温下的氧扩散系数比由第一金属元素和氧形成并且缺氧度与复合氧化物的缺氧度相等的第二金属氧化物在室温下的氧扩散系数小。

本发明授权电阻变化型非易失性存储元件及使用了其的电阻变化型非易失性存储装置在权利要求书中公布了：1.一种电阻变化型非易失性存储元件，其具备第一电极、第二电极和电阻变化层，所述电阻变化层夹在所述第一电极与所述第二电极之间，并且基于施加于两电极之间的电信号而使电阻值可逆地变化， 其中，所述电阻变化层具有第一电阻变化层和第二电阻变化层，所述第一电阻变化层是由缺氧型的第一金属氧化物构成的，该第一金属氧化物由第一金属元素和氧形成，所述第二电阻变化层由所述第一金属元素、与所述第一金属元素不同的第二金属元素和氧形成，并且由缺氧度与所述第一金属氧化物不同的复合氧化物构成， 所述复合氧化物的缺氧度比所述第一金属氧化物的缺氧度小， 所述复合氧化物在室温下的氧扩散系数比由所述第一金属元素和氧形成并且缺氧度与所述复合氧化物的缺氧度相等的第二金属氧化物在室温下的氧扩散系数小， 所述第二金属元素形成离子结合性氧化物。

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