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龙图腾网获悉威科赛乐微电子股份有限公司申请的专利一种边发射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110759882.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种边发射半导体激光器是由苑汇帛;张新勇;刘浩飞;杨绍林设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种边发射半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种边发射半导体激光器，包括依次设置的衬底、缓冲层、N型下限制层、N型下模式扩展层、N型下低折射率层、N型下波导层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、P型上波导层、P型上低折射率层、P型上模式扩展层、P型上限制层和盖层；量子阱层采用InGaAs材料，第一势垒层和第二势垒层采用GaInP材料；N型下低折射率层和P型上低折射率层均采用Al0.50.5GaAs材料，N型下模式扩展层和P型上模式扩展层均采用Al0.350.35GaAs材料。本发明在传统的InGaAsGaAs量子阱结构基础上，引入GaInP材料作为势垒，起到限制电子和应变缓冲的作用；并采用模式扩展层和低折射率层来降低垂直发散角和阈值电流，避免阈值电流随垂直发散角的降低而急速上升。

本发明授权一种边发射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种边发射半导体激光器，包括衬底，其特征在于：在所述衬底上自下而上依次设置有缓冲层、N型下限制层、N型下模式扩展层、N型下低折射率层、N型下波导层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、P型上波导层、P型上低折射率层、P型上模式扩展层、P型上限制层和盖层；所述量子阱层采用InGaAs材料，所述第一势垒层和第二势垒层采用GaInP材料；所述N型下低折射率层和P型上低折射率层均采用Al0.5GaAs材料，所述N型下模式扩展层和P型上模式扩展层均采用Al0.35GaAs材料； 所述量子阱层的厚度为4-6nm，InGaAs材料的In组分为0.35，Ga组分为0.65；所述第一势垒层和第二势垒层的厚度均为40-60nm，GaInP材料无掺杂，且Ga组分为0.37，In组分为0.63；所述N型下低折射率层的厚度为550-650nm，所述Al0.5GaAs材料N型Si掺杂，掺杂浓度为1.0e18；所述P型上低折射率层的厚度为550-650nm，所述Al0.5GaAs材料P型Zn掺杂，掺杂浓度为8.0e17；所述N型下限制层的厚度为1100-1300nm，采用稀N材料In0.48Ga0.52N0.05P0.95，N型Si掺杂，掺杂浓度自下而上从8.0e17渐变至2.7e17。

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