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龙图腾网获悉同济大学申请的专利等离激元正金字塔阵列基底及体外细胞内物质递送方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113896166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111038728.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权等离激元正金字塔阵列基底及体外细胞内物质递送方法是由许晓斌;范震;孙敏;吉振凯;方明赫设计研发完成，并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离激元正金字塔阵列基底及体外细胞内物质递送方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种等离激元正金字塔阵列基底及体外细胞内物质递送方法，通过结合多种微纳加工技术，在单晶硅表面刻蚀出周期和尺寸可调控的正金字塔阵列结构，进而沉积金属层或者其他复合材料层使其具备优异的原位等离激元性能和等离子光热转换性能，最后将细胞播种在基底表面，通过光源辐照的方式促进物质向细胞内的递送。与现有技术相比，本发明制备的等离激元阵列结构整齐可控，物质递送效率高，体外细胞活性保持良好，为广谱和高通量的细胞内递送提供了一种新的思路，具有广泛的应用前景。

本发明授权等离激元正金字塔阵列基底及体外细胞内物质递送方法在权利要求书中公布了：1.体外细胞内物质递送方法，基于等离激元正金字塔阵列基底，其特征在于，所述的物质递送方法为：将体外细胞粘附在基底表面，之后向基底上加入含有待递送物质的分散液，再利用激光对基底进行照射，以将所述的物质递送至体外细胞内； 所述的物质包括生物大分子、纳米粒子或药物分子，所述的分散液为无核酸酶水；所述的激光的波长为400-3000nm，照射时间为1-10min； 其中，等离激元正金字塔阵列基底通过以下步骤制备： 1在硅片表面依次涂覆粘结剂层及光刻胶层，之后将含有点阵图案的掩膜板置于光刻胶层上，并在光刻设备中曝光，曝光结束后移去掩膜板，并用正胶显影液对光刻胶层中未固化的部分进行冲洗，得到光刻后材料； 2在光刻后材料的表面沉积二氧化硅层，之后除去光刻后材料中剩余的光刻胶，得到二氧化硅掩膜的无胶硅片； 3将二氧化硅掩膜的无胶硅片置于硅各向异性刻蚀剂中进行湿法刻蚀，得到含有正金字塔阵列结构的硅片； 4在含有正金字塔阵列结构的硅片表面沉积金属层或具有等离子性能的复合材料层，即得到所述的等离激元正金字塔阵列基底； 其中，步骤1中，所述的硅片为抛光后的硅晶圆片，硅片厚度为100-1000微米；所述的粘结剂为六甲基二硅氮烷，粘结剂的涂覆方式为旋涂、喷涂或真空挥发；所述的光刻胶为正性光刻胶，光刻胶的涂覆方式为旋涂或喷涂；所述的掩膜板的点阵图案中，圆点的直径为1-5微米，相邻圆点的间距为3-15微米； 步骤2中，采用电镀、蒸镀或磁控溅射的方法沉积二氧化硅层，该二氧化硅层的厚度为10-1000纳米；采用有机溶剂浸泡的方法除去光刻后材料中剩余的光刻胶，所述的有机溶剂包括丙酮、甲苯或二氯甲烷中的一种或更多种； 步骤3中，所述的硅各向异性刻蚀剂包括四甲基氢氧化铵溶液、KOH的异丙醇溶液、EDP刻蚀剂或水合肼刻蚀剂中的一种或更多种，湿法刻蚀的温度为50-100℃，刻蚀时间为1-120分钟； 步骤4中，采用电镀、蒸镀或磁控溅射的方法沉积金属层或具有等离子性能的复合材料层，沉积厚度为20-500纳米。

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