华虹半导体(无锡)有限公司吴海华获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利改善光刻机硅片背面静电分布的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114007320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111344726.3，技术领域涉及：H05F3/06；该发明授权改善光刻机硅片背面静电分布的方法是由吴海华;高中原设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善光刻机硅片背面静电分布的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其包括以下步骤：步骤一，将静电消除器安装在光刻机预对准单元侧面；步骤二，通过压缩空气将等离子风吹到硅片表面；步骤三，预对准时，硅片旋转，等离子风中的正负粒子均匀的中和硅片表面电荷。本发明可减缓光刻机曝光载片台的磨损。
本发明授权改善光刻机硅片背面静电分布的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤一，光刻机预对准单元包含一个可升降的温控平台； 静电消除器包括多个喷嘴，喷嘴安装在光刻机预对准温控平台侧面，调节静电消除器的喷嘴出风口角度，对准硅片下表面； 步骤二，使用光刻机内部经过控温的压缩洁净空气作为气源，通过气管引入到静电消除器，当压缩空气经过静电消除器时，部分会被内部的高压电极电离，压缩空气形成等离子风并从喷嘴喷出，吹到硅片表面； 步骤三，当硅片做预对准时，光刻机预对准温控平台降下，露出硅片下表面，同时硅片绕其圆心旋转，等离子风中的正负粒子均匀的中和硅片表面电荷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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