英飞凌科技奥地利有限公司C·法赫曼获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080045360.7，技术领域涉及：H10P54/00；该发明授权制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法是由C·法赫曼;I·穆里设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法在说明书摘要公布了：描述了一种制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法。该方法包括在半导体晶片中形成切割槽。对切割槽的侧壁进行阳极氧化，以在切割槽的侧壁处生成阳极氧化物层。将半导体芯片与半导体晶片分离。
本发明授权制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法，所述方法包括： 在半导体晶片中形成切割槽； 在形成所述切割槽之后，并且在阳极氧化之前，将n型掺杂剂或p型掺杂剂注入到所述切割槽的所述侧壁中； 对所述切割槽的侧壁进行阳极氧化，以在所述切割槽的所述侧壁处生成阳极氧化物层，其中，在阳极氧化期间电解质的温度等于或高于70℃，并且在阳极氧化期间照射所述切割槽的所述侧壁；以及 将所述半导体芯片与所述半导体晶片分离。
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