广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司陈卫军获国家专利权
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龙图腾网获悉广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司申请的专利一种发光二极管及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111673485.7，技术领域涉及：H10P72/30；该发明授权一种发光二极管及其应用是由陈卫军设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其应用在说明书摘要公布了：本发明提出一种发光二极管及其应用，且所述发光二极管包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；第一填平层，设置在所述透明导电层上；第二填平层，设置在所述第一填平层电层上，且所述第一填平层的颗粒密度大于所述第二填平层的颗粒密度；第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；以及第二电极，设置在所述透明导电层上。通过本发明提供的一种发光二极管，可改善发光效果。
本发明授权一种发光二极管及其应用在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 衬底； 半导体外延结构，设置在所述衬底上； 透明导电层，设置在所述半导体外延结构上； 填平层，位于透明导电层相对于所述半导体外延结构的一侧，所述填平层中的颗粒先粗后细，且所述填平层包括第一填平层和第二填平层；所述第一填平层，设置在所述透明导电层上；所述第二填平层，设置在所述第一填平层电层上，且所述第一填平层的颗粒密度大于所述第二填平层的颗粒密度； 第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；以及 第二电极，设置在所述透明导电层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司，其通讯地址为：529000 广东省江门市江海区彩虹路1号3幢首层、二层，7幢二层(信息申报制、一址多照)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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