铠侠股份有限公司高桥夏海获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110115132.9，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权半导体存储装置是由高桥夏海设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够提高半导体存储元件的保温性的半导体存储装置。本实施方式的半导体存储装置具备：沿第一方向延伸的第一布线；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二布线；沿与第一方向以及第二方向交叉的第三方向延伸，连接于第一布线与第二布线，并具有第一选择器层以及第一电阻变化层的第一半导体元件；沿第二方向以及第三方向延伸，在第一方向上与第一半导体元件相邻的第一绝缘体；以及沿第二方向以及第三方向延伸，并包含在第一半导体元件与第一绝缘体之间配置的空气间隙的第二绝缘体。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 第一布线，沿第一方向延伸； 第二布线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸； 第一半导体元件，沿与所述第一方向以及所述第二方向交叉的第三方向延伸，连接于所述第一布线与所述第二布线，并具有第一选择器层以及第一电阻变化层； 第一绝缘体，沿所述第二方向以及所述第三方向延伸，在所述第一方向上与所述第一半导体元件相邻； 第二绝缘体，沿所述第二方向以及所述第三方向延伸，并包含在所述第一半导体元件与所述第一绝缘体之间配置的空气间隙； 第一绝缘层，沿所述第二方向以及所述第三方向延伸，并在所述第一半导体元件与所述第二绝缘体之间，与所述第一半导体元件和所述第二绝缘体相接地配置；以及 第二绝缘层，沿所述第二方向以及所述第三方向延伸，并在所述第一绝缘体与所述第二绝缘体之间，与所述第一绝缘体和所述第二绝缘体相接地配置。
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