买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种通孔刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111508943.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种通孔刻蚀方法是由马莉娜;姚道州设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通孔刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通孔刻蚀方法，包括提供一复合结构，复合结构包括一第一材质介质层，及覆盖于第一材质介质层上表面的第二材质介质层，第二材质介质层中包括一介质层，填充于一第一金属层及一第二金属层之间，并覆盖第一金属层露出第二金属层的部分，以及第二金属层的上表面；提供一掩膜覆盖复合结构；通过掩膜，刻蚀复数个通孔；提供一刻蚀选择比，根据刻蚀选择比逐次刻蚀复数个通孔，并于每次刻蚀后调整刻蚀选择比，降低第一材质介质层和或介质层的刻蚀量，以使复数个通孔的底部停留在不同的深度。本发明技术方案的有益效果为：既保证了通孔形貌，同时又能控制不同目标位置的通孔能够各自停止在需要的深度。

本发明授权一种通孔刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种通孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤， 步骤S1，提供一复合结构，所述复合结构至少包括一第一材质介质层，及覆盖于所述第一材质介质层上表面的第二材质介质层，所述第二材质介质层中包括一台阶结构，所述台阶结构包括复数级台阶，所述台阶结构包括， 一第一金属层， 一第二金属层，位于所述第一金属层上方，且所述第二金属层的投影覆盖部分所述第一金属层， 一介质层，填充于所述第一金属层及所述第二金属层之间，并覆盖所述第一金属层露出所述第二金属层的部分，以及所述第二金属层的上表面； 步骤S2，提供一掩膜覆盖所述复合结构，并于所述掩膜上打开对应待刻蚀的复数个通孔的窗口； 步骤S3，通过所述掩膜，刻蚀复数个所述通孔； 步骤S4，提供一刻蚀选择比，根据所述刻蚀选择比逐次刻蚀复数个所述通孔，并于每次刻蚀后调整所述刻蚀选择比，降低所述第一材质介质层和或所述介质层的刻蚀量，以使复数个所述通孔的底部停留在不同的深度；每次刻蚀停止于，底部未到达目标位置的通孔中，预定刻蚀深度最浅的通孔的目标位置，上方一预定距离处。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。