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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种基于金属衬底的氮化物模板及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210241364.3，技术领域涉及：H10P14/694；该发明授权一种基于金属衬底的氮化物模板及其制备方法和应用是由孙晓娟;陈洋;黎大兵;蒋科;贲建伟;张山丽设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金属衬底的氮化物模板及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于金属衬底的氮化物模板，涉及半导体技术以及通信领域，包括：金属衬底、二维材料薄膜、惰性材料图形掩膜层和氮化物外延层；二维材料薄膜的表面经活化处理用于为氮化物材料的生长提供成核位点，并抑制高温外延过程的界面反应；惰性材料图形掩膜层实现氮化物材料的选区外延，进而实现横向过外延生长，降低所述氮化物外延层中的位错密度，提高外延层晶体质量。本发明还提供了上述模板的制备方法和应用，采用金属衬底二维材料薄膜惰性材料图形掩膜层的复合金属衬底结构，能够实现高质量、无应力氮化物材料的直接高温外延生长，使模板具有较高的可扩展性，适用于深紫外LEDs器件以及GaAs、InP等第二代半导体材料的外延与器件中。

本发明授权一种基于金属衬底的氮化物模板及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于金属衬底的氮化物模板，其特征在于，包括： 金属衬底； 二维材料薄膜，其位于所述金属衬底一侧面； 惰性材料图形掩膜层，其位于所述二维材料薄膜远离所述金属衬底的侧面； 氮化物外延层，其位于所述惰性材料图形掩膜层远离所述金属衬底的侧面； 所述二维材料薄膜的表面经活化处理用于为氮化物材料的生长提供成核位点，所述二维材料薄膜还用于抑制高温外延过程的界面反应；所述惰性材料图形掩膜层实现氮化物材料的选区外延，进而实现横向过外延生长，降低所述氮化物外延层中的位错密度，提高外延层晶体质量； 所述二维材料薄膜的材质为WS2、WSe2、MoS2、MoSe2中的任意一种，所述二维材料薄膜的活化处理包括：先采用等离子处理，再采用NH3基于MBE或MOCVD法对所述二维材料薄膜进行高温氮化处理形成N原子的有效掺杂，形成金属复合衬底，其中等离子处理所用的气体为空气。

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