中国科学院物理研究所韩秀峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利自旋轨道力矩磁器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110141363.7，技术领域涉及：H10N52/85；该发明授权自旋轨道力矩磁器件及其制造方法是由韩秀峰;赵明堃;万蔡华设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋轨道力矩磁器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及自旋轨道力矩磁器件及其制造方法。根据一实施例，一种磁器件可包括：磁偏置层；位于所述磁偏置层上的自旋霍尔层；位于所述自旋霍尔层上的自由磁层；位于所述自由磁层上的中间层；以及位于所述中间层上的参考磁层，其中，所述自旋霍尔层包括第一自旋霍尔层和第二自旋霍尔层，所述第一自旋霍尔层和第二自旋霍尔层分别由自旋霍尔角符号相反的材料形成。所述磁器件可以是磁随机存储器或者是自旋逻辑器件。
本发明授权自旋轨道力矩磁器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁器件，包括： 磁偏置层； 位于所述磁偏置层上的自旋霍尔层； 位于所述自旋霍尔层上的自由磁层； 位于所述自由磁层上的中间层；以及 位于所述中间层上的参考磁层， 其中，所述自旋霍尔层包括第一自旋霍尔层和第二自旋霍尔层，所述第一自旋霍尔层和第二自旋霍尔层分别由自旋霍尔角符号相反的材料形成， 所述第一自旋霍尔层与所述磁偏置层接触，所述第二自旋霍尔层与所述自由磁层接触， 所述自旋霍尔层具有一厚度，以诱导所述磁偏置层与所述自由磁层之间的铁磁耦合或反铁磁耦合。
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