上海移为通信技术股份有限公司唐子钦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海移为通信技术股份有限公司申请的专利一种防误操作的供电电路及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885175U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423322797.5，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种防误操作的供电电路及电子设备是由唐子钦设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防误操作的供电电路及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型实施例涉及电源管理领域，公开了一种防误操作的供电电路及电子设备。本实用新型中防误操作的供电电路，包括：延时模块，第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管，电源电路；延时模块与所述第一NMOS晶体管相连，输入电平信号经由延时模块传输至第一NMOS晶体管；第一NMOS晶体管漏极连接第二NMOS晶体管栅极，当第一NMOS晶体管导通状态时，第二NMOS晶体管为断开状态，当第一NMOS晶体管断开状态时，第二NMOS晶体管基于输入电平信号确定是否为导通状态；第二NMOS晶体管与电源电路相连，第二NMOS晶体管的通断状态与电源电路的通断状态相关联。以防止供电电路在无需供电的情况下被错误电平信号误触发，保证设备正常工作。
本实用新型一种防误操作的供电电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种防误操作的供电电路，其特征在于，包括：延时模块，第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管，电源电路； 所述延时模块与所述第一NMOS晶体管相连，输入电平信号经由所述延时模块传输至所述第一NMOS晶体管； 所述第一NMOS晶体管漏极连接所述第二NMOS晶体管栅极，当所述第一NMOS晶体管导通状态时，所述第二NMOS晶体管为断开状态，当所述第一NMOS晶体管断开状态时，所述第二NMOS晶体管基于所述输入电平信号确定是否为导通状态； 所述第二NMOS晶体管与所述电源电路相连，所述第二NMOS晶体管的通断状态与所述电源电路的通断状态相关联。
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