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深圳市索隐科技有限公司王超获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市索隐科技有限公司申请的专利一种多单元组合耳机的低频单元滤波结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223885296U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421629304.X,技术领域涉及:H04R1/10;该实用新型一种多单元组合耳机的低频单元滤波结构是由王超设计研发完成,并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多单元组合耳机的低频单元滤波结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种多单元组合耳机的低频单元滤波结构,包括壳体、平面振膜单元、第一通声导管以及第二通声导管,壳体内设有声腔,平面振膜单元安装在声腔中,并将声腔分隔为前声腔和后声腔,后声腔设有透气孔,以使后声腔与壳体的外部连通,前声腔通过第一通声导管连接至耳机出音口,后声腔通过第二通声导管与第一通声导管连接。本实用新型通过壳体、平面振膜单元、第一通声导管、第二通声导管、透气孔、耳机出音口的相互配合,不仅仅能实现低频单元与中频单元的频响曲线和相位曲线平滑连续,还可以提高声音的保真度。此外,第一通声导管的两端和第二通声导管的某一端均装有阻尼网,可优化不同频段的声音效果。

本实用新型一种多单元组合耳机的低频单元滤波结构在权利要求书中公布了:1.一种多单元组合耳机的低频单元滤波结构,其特征在于,包括壳体、平面振膜单元、第一通声导管以及第二通声导管,所述壳体内设有声腔,所述平面振膜单元安装在所述声腔中,并将所述声腔分隔为前声腔和后声腔,所述后声腔设有透气孔,以使所述后声腔与所述壳体的外部连通,所述前声腔通过第一通声导管连接至耳机出音口,所述后声腔通过所述第二通声导管与所述第一通声导管连接;所述平面振膜单元为环形式磁体结构或阵列式磁体结构;所述平面振膜单元包括内置有平面音圈的平面振膜和环形磁体,所述环形磁体与所述平面振膜平行布置,或者所述平面振膜单元包括内置有蚀刻电路的平面振膜,以及若干由单磁体阵列分布形成的平面阵列磁体组,所述平面阵列磁体组与所述平面振膜平行布置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市索隐科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区67区中粮创智厂区3栋309;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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