安乃达驱动技术(上海)股份有限公司黄洪岳获国家专利权
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龙图腾网获悉安乃达驱动技术(上海)股份有限公司申请的专利压板式MOS管固定结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885515U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520352397.4，技术领域涉及：H05K7/20；该实用新型压板式MOS管固定结构是由黄洪岳;臧曙光;杨一设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本压板式MOS管固定结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种压板式MOS管固定结构,包括MOS管在主板上沿第一方向至少间隔排列安装有两个，导热壳体的空腔内一体成型有压板，任一MOS管均伸入导热壳体内壁与压板形成的间隙内，紧固件自导热壳体外部穿入导热壳体内部将导热壳体和压板固定连接；压板与MOS管贴合并将MOS管抵接在导热壳体的内壁上。紧固件未将导热壳体和压板连接时，压板和导热壳体内壁之间的间隙大于MOS管的厚度，便于将MOS管伸入压板和导热壳体内壁之间的间隙内；紧固件将导热壳体和压板紧固连接时，压板和导热壳体的内壁二者配合将MOS管抵接固定，提高了压板和导热壳体二者与MOS管的贴合度，提高了散热效果，且安装稳定。
本实用新型压板式MOS管固定结构在权利要求书中公布了：1.一种压板式MOS管固定结构，其特征在于，包括具有空腔的导热壳体1、MOS管2、主板4以及紧固件，所述MOS管2在主板4上沿第一方向至少间隔排列安装有两个； 所述主板4固定安装在导热壳体1的空腔内，所述导热壳体1的空腔内一体成型有压板5，任一所述MOS管2均伸入导热壳体1内壁与压板5形成的间隙内，所述紧固件自所述导热壳体1外部穿入所述导热壳体1内部并将所述导热壳体1和所述压板5固定连接； 所述压板5通过紧固件锁附并贴于MOS管2上，将MOS管2抵接在导热壳体1的内壁上。
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